Diodă 650 V 8A Orificiu străpuns TO-220AC
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

VS-C16ET07T-M3

Numărul produsului DigiKey
751-VS-C16ET07T-M3-ND
Producător
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numărul produsului producătorului
VS-C16ET07T-M3
Descriere
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Referință client
Descriere detaliată
Diodă 650 V 8A Orificiu străpuns TO-220AC
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)
650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)
8A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If
1.8 V @ 8 A
Viteză
Recuperare rapidă = < 500ns, > 200mA (Io)
Curent - Scurgere inversă la Vr
45 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F
700pF la 1V, 1MHz
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet/cutie
TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AC
Temperatură de funcționare - Joncțiune
-55°C – 175°C
Număr produs de bază
C16ET07
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.