Name: XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQR8308QBLXHQTR-ND
Price: 32.7305 RON
Availability: InStock

Canal-N 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) Montare pe suprafață L-TOGL™

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

XPQR8308QB,LXHQ
Numărul produsului DigiKey	264-XPQR8308QBLXHQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-XPQR8308QB,LXHQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-XPQR8308QB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	XPQR8308QB,LXHQ
Descriere	80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) Montare pe suprafață L-TOGL™
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 305 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 24700 pF @ 10 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 750W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 350A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor L-TOGL™
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,83mOhm la 175A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerBSFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 3,2mA