Name: XPH2R106NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND
Price: 16.2624 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5)

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

XPH2R106NC,L1XHQ
Numărul produsului DigiKey	264-XPH2R106NCL1XHQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-XPH2R106NCL1XHQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-XPH2R106NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	XPH2R106NC,L1XHQ
Descriere	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Termen de livrare standard al producătorului	32 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 110A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	XPH2R106NC,L1XHQ Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6900 pF @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare 175°C
Tip FET Canal-N	Grad Automobile
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Calificare AEC-Q101
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 110A (Ta)	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-SOP (5x5)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,1mOhm la 55A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA	Număr produs de bază XPH2R106
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 104 nC @ 10 V