TO-247-4
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
TO-247-4
TO-247-4

TW083Z65C,S1F

Numărul produsului DigiKey
264-TW083Z65C,S1F-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TW083Z65C,S1F
Descriere
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-4L(X)
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
118mOhm la 15A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
873 pF @ 400 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
111W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L(X)
Pachet/cutie
TO-247-4
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 58
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
167,14000 lei67,14 lei
3041,35033 lei1.240,51 lei
12036,62942 lei4.395,53 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:67,14000 lei
Preț unitar cu TVA:81,23940 lei