Canal-N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Numărul produsului DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
TW083N65C,S1F
Descriere
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
113mOhm la 15A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
873 pF @ 400 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
111W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Verificați termenul de livrare
Solicitare de notificare privind stocul
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
177,86000 lei77,86 lei
3048,17200 lei1.445,16 lei
12041,67308 lei5.000,77 lei
51039,11794 lei19.950,15 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:77,86000 lei
Preț unitar cu TVA:94,21060 lei