TK125N60Z1,S1F
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW060N120C,S1F

Numărul produsului DigiKey
264-TW060N120CS1F-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TW060N120C,S1F
Descriere
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 36A (Tc) 170W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
36A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
78mOhm la 18A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 4,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
46 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1530 pF @ 800 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
170W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
TO-247-3
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 39
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
1100,11000 lei100,11 lei
3063,84067 lei1.915,22 lei
12061,05092 lei7.326,11 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:100,11000 lei
Preț unitar cu TVA:121,13310 lei