Name: TW030N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW030N120CS1F-ND
Price: 200.9447 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TW030N120C,S1F
Numărul produsului DigiKey	264-TW030N120CS1F-ND
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TW030N120C,S1F
Descriere	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	60A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	40mOhm la 30A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	5V la 13mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2925 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	249W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247
Pachet/cutie	TO-247-3

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 40

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Tub

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1	166,07000 lei	166,07 lei
30	115,32200 lei	3.459,66 lei

Pachet standard de la producător

Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.