Diodă 650 V 8A Orificiu străpuns TO-220-2L
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TRS8E65H,S1Q

Numărul produsului DigiKey
264-TRS8E65H,S1Q-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TRS8E65H,S1Q
Descriere
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Diodă 650 V 8A Orificiu străpuns TO-220-2L
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)
650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)
8A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If
1.35 V @ 8 A
Timp recuperare inversă (trr)
0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr
90 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F
520pF la 1V, 1MHz
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet/cutie
TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-2L
Temperatură de funcționare - Joncțiune
175°C
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 313
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
114,55000 lei14,55 lei
507,10080 lei355,04 lei
1006,76040 lei676,04 lei
5006,19170 lei3.095,85 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:14,55000 lei
Preț unitar cu TVA:17,60550 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
7 Articole
TK024N60Z1,S1F

TK024N60Z1,S1F

N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V

Toshiba Semiconductor and Storage

65,97000 lei
TPH2R408QM,L1Q

TPH2R408QM,L1Q

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

10,41000 lei
TK125A60Z1,S4X

TK125A60Z1,S4X

N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

15,97000 lei
TK080N60Z1,S1F

TK080N60Z1,S1F

600V DTMOS6 TO-247 80MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

27,46000 lei
TPM1R908QM,LQ

TPM1R908QM,LQ

N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

12,35000 lei
TW092V65C,LQ

TW092V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

96,57000 lei
TMPM332FWUG(C)

TMPM332FWUG(C)

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP

Toshiba Semiconductor and Storage

14,37000 lei