Diodă 650 V 4A Orificiu străpuns TO-220-2L
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TRS4E65H,S1Q

Numărul produsului DigiKey
264-TRS4E65H,S1Q-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TRS4E65H,S1Q
Descriere
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Diodă 650 V 4A Orificiu străpuns TO-220-2L
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)
650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)
4A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If
1.35 V @ 4 A
Viteză
Zero timp recuperare > 500mA (Io)
Timp recuperare inversă (trr)
0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr
55 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F
263pF la 1V, 1MHz
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet/cutie
TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-2L
Temperatură de funcționare - Joncțiune
175°C
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 11
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
114,74000 lei14,74 lei
507,35640 lei367,82 lei
1006,63800 lei663,80 lei
5005,37852 lei2.689,26 lei
1.0004,97389 lei4.973,89 lei
2.0004,63370 lei9.267,40 lei
5.0004,26584 lei21.329,20 lei
10.0004,22913 lei42.291,30 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:14,74000 lei
Preț unitar cu TVA:17,83540 lei