Name: TRS4E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS4E65H,S1Q-ND
Price: 14.0844 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TRS4E65H,S1Q
Numărul produsului DigiKey	264-TRS4E65H,S1Q-ND
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TRS4E65H,S1Q
Descriere	DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Diodă 650 V 4A Orificiu străpuns TO-220-2L
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Diode Redresoare Diode individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tehnologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)	650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)	4A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If	1.35 V @ 4 A
Viteză	Fără timp de recuperare > 500mA (Io)
Timp recuperare inversă (trr)	0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr	55 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F	263pF la 1V, 1MHz
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet/cutie	TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor	TO-220-2L
Temperatură de funcționare - Joncțiune	175°C

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 341

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Tub

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1	11,64000 lei	11,64 lei
50	5,97320 lei	298,66 lei
100	5,92350 lei	592,35 lei
500	4,79966 lei	2.399,83 lei
1.000	4,39963 lei	4.399,63 lei
2.000	4,20195 lei	8.403,90 lei

Pachet standard de la producător

Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.