Name: TRS12E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS12E65H,S1Q-ND
Price: 14.9314 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TRS12E65H,S1Q
Numărul produsului DigiKey	264-TRS12E65H,S1Q-ND
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TRS12E65H,S1Q
Descriere	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220L
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Diodă 650 V 12A Orificiu străpuns TO-220-2L
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Diode Redresoare Diode individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tehnologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)	650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)	12A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If	1.35 V @ 12 A
Viteză	Fără timp de recuperare > 500mA (Io)
Timp recuperare inversă (trr)	0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr	120 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F	778pF la 1V, 1MHz
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet/cutie	TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor	TO-220-2L
Temperatură de funcționare - Joncțiune	175°C

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 345

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Tub

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1	12,34000 lei	12,34 lei
50	8,56740 lei	428,37 lei
100	8,53910 lei	853,91 lei
500	8,27310 lei	4.136,55 lei

Pachet standard de la producător

Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.