Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 26.5958 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TRS10V65H,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TRS10V65H,LQ
Descriere	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Diodă 650 V 10A Montare pe suprafață 4-DFN-EP (8x8)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Diode Redresoare Diode individuale	Viteză Zero timp recuperare > 500mA (Io)
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Timp recuperare inversă (trr) 0 ns
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Curent - Scurgere inversă la Vr 100 µA @ 650 V
Stare piesă Activ	Capacitanță la Vr, F 649pF la 1V, 1MHz
Tehnologie SiC (Silicon Carbide) Schottky	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max) 650 V	Pachet/cutie Plăcuță expusă 4-VSFN
Curent - Mediu rectificat (Io) 10A	Pachet dispozitiv furnizor 4-DFN-EP (8x8)
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If 1.35 V @ 10 A	Temperatură de funcționare - Joncțiune 175°C