Diodă 650 V 10A Orificiu străpuns TO-220-2L
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TRS10E65H,S1Q

Numărul produsului DigiKey
264-TRS10E65H,S1Q-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TRS10E65H,S1Q
Descriere
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220L
Termen de livrare standard al producătorului
24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Diodă 650 V 10A Orificiu străpuns TO-220-2L
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tehnologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensiune - Inversare c.c. (Vr) (Max)
650 V
Curent - Mediu rectificat (Io)
10A
Tensiune - Directă (Vf) (Max) la If
1.35 V @ 10 A
Viteză
Zero timp recuperare > 500mA (Io)
Timp recuperare inversă (trr)
0 ns
Curent - Scurgere inversă la Vr
100 µA @ 650 V
Capacitanță la Vr, F
649pF la 1V, 1MHz
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet/cutie
TO-220-2
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-2L
Temperatură de funcționare - Joncțiune
175°C
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 116
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
119,92000 lei19,92 lei
5010,29380 lei514,69 lei
1009,36090 lei936,09 lei
5007,72710 lei3.863,55 lei
1.0007,35572 lei7.355,72 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:19,92000 lei
Preț unitar cu TVA:24,10320 lei