Name: TPW3R70APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW3R70APLL1QTR-ND
Price: 20.1465 RON
Availability: InStock

Canal-N 100 V 90A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-DSOP

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPW3R70APL,L1Q
Numărul produsului DigiKey	264-TPW3R70APLL1QTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPW3R70APLL1QCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPW3R70APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPW3R70APL,L1Q
Descriere	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 90A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-DSOP
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 67 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 6300 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 90A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-DSOP
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3,7mOhm la 45A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA