Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 19.4326 RON
Availability: OutOfStock

TPW1R306PL,L1Q
Numărul produsului DigiKey	TPW1R306PLL1QTR-ND - Bandă și mosor (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPW1R306PL,L1Q
Descriere	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-DSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TPW1R306PL,L1Q Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	260A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,29mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	8100 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	Avans 8-DSOP
Pachet/cutie	8-PowerVDFN
Număr produs de bază	TPW1R306

Preț unitar fără TVA:	16,06000 lei
Preț unitar cu TVA:	19,43260 lei

TPW1R306PL,L1Q