Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 12.0758 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPW1R104PB,L1XHQ
Numărul produsului DigiKey	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPW1R104PB,L1XHQ
Descriere	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-DSOP
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TPW1R104PB,L1XHQ Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,14mOhm la 60A, Ieșire 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3V la 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4560 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	Avans 8-DSOP
Pachet/cutie	8-PowerVDFN
Număr produs de bază	TPW1R104