Name: TPN3R704PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN3R704PLL1QTR-ND
Price: 6.5098 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPN3R704PL,L1Q
Numărul produsului DigiKey	TPN3R704PLL1QTR-ND - Bandă și mosor (TR) TPN3R704PLL1QCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) TPN3R704PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPN3R704PL,L1Q
Descriere	MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-TSON (3,1x3,1)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TPN3R704PL,L1Q Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 27 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2500 pF @ 20 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 630mW (Ta), 86W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-TSON (3,1x3,1)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3,7mOhm la 40A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,4V la 200µA	Număr produs de bază TPN3R704