Name: TPN2R304PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R304PLL1QTR-ND
Price: 7.5504 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPN2R304PL,L1Q
Numărul produsului DigiKey	TPN2R304PLL1QTR-ND - Bandă și mosor (TR) TPN2R304PLL1QCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) TPN2R304PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPN2R304PL,L1Q
Descriere	MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-TSON (3,1x3,1)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TPN2R304PL,L1Q Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 41 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3600 pF @ 20 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-TSON (3,1x3,1)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,3mOhm la 40A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,4V la 300µA	Număr produs de bază TPN2R304