Produs nou
Canal-N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOP Advance (4,9x5,75)
264~2-6L1A~~8 bottom

TPM1R908QM,LQ

Numărul produsului DigiKey
264-TPM1R908QMLQTR-ND - Bandă și mosor (TR)
264-TPM1R908QMLQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TPM1R908QM,LQ
Descriere
N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Termen de livrare standard al producătorului
16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montare pe suprafață 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSX-H
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
26A (Ta), 238A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,9mOhm la 70A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 1,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
10500 pF @ 40 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
3W (Ta), 250W (Tc)
Temperatură de funcționare
175°C
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP Advance (4,9x5,75)
Pachet/cutie
8-PowerTDFN
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 8.872
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
112,35000 lei12,35 lei
107,99600 lei79,96 lei
1005,51190 lei551,19 lei
5004,54320 lei2.271,60 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
5.0003,71177 lei18.558,85 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:12,35000 lei
Preț unitar cu TVA:14,94350 lei
V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate
10 Articole
TPH2R70AR5,LQ

TPH2R70AR5,LQ

N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1

Toshiba Semiconductor and Storage

6,67000 lei
TW092V65C,LQ

TW092V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

96,57000 lei
TW027U65C,RQ

TW027U65C,RQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T

Toshiba Semiconductor and Storage

171,24000 lei
NTMFS003P03P8ZT1G

NTMFS003P03P8ZT1G

MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO

onsemi

11,83000 lei
AONS66811

AONS66811

N

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

15,23000 lei
TPW2900ENH,L1Q

TPW2900ENH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

Toshiba Semiconductor and Storage

15,79000 lei
NTMFWS1D5N08XT1G

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

onsemi

15,62000 lei
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP

Toshiba Semiconductor and Storage

18,81000 lei
DCL540C01(T,E

DCL540C01(T,E

DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC

Toshiba Semiconductor and Storage

25,30000 lei
EPC2367

EPC2367

TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI

EPC

29,65000 lei