Name: TPH3R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R008QMLQTR-ND
Price: 12.0153 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 80 V 100A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5,75)

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TPH3R008QM,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TPH3R008QMLQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TPH3R008QMLQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TPH3R008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TPH3R008QM,LQ
Descriere	80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Termen de livrare standard al producătorului	32 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 100A (Tc) 3W (Ta), 180W (Tc) Montare pe suprafață Avans 8-SOP (5x5,75)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 71 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 7200 pF @ 40 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 180W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 80 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 100A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor Avans 8-SOP (5x5,75)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 900µA