Canal-N 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Orificiu străpuns TO-220SIS
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK8A65D(STA4,Q,M)

Numărul produsului DigiKey
TK8A65D(STA4QM)-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TK8A65D(STA4,Q,M)
Descriere
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Termen de livrare standard al producătorului
16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Orificiu străpuns TO-220SIS
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
TK8A65D(STA4,Q,M) Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
π-MOSVII
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
8A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
840mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
45W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet/cutie
Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază
TK8A65
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 17
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
114,48000 lei14,48 lei
507,22220 lei361,11 lei
1006,51720 lei651,72 lei
5005,28142 lei2.640,71 lei
1.0004,88429 lei4.884,29 lei
2.0004,55047 lei9.100,94 lei
5.0004,19411 lei20.970,55 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:14,48000 lei
Preț unitar cu TVA:17,52080 lei