Name: TK6R7P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6R7P06PLRQTR-ND
Price: 9.6558 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK6R7P06PL,RQ
Numărul produsului DigiKey	TK6R7P06PLRQTR-ND - Bandă și mosor (TR) TK6R7P06PLRQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) TK6R7P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TK6R7P06PL,RQ
Descriere	MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 46A (Tc) 66W (Tc) Montare pe suprafață DPAK
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TK6R7P06PL,RQ Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±20V
Serie U-MOSIX-H	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1990 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 66W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 46A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor DPAK
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6,7mOhm la 23A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 300µA	Număr produs de bază TK6R7P06