Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 11.0715 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK3P80E,RQ
Numărul produsului DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TK3P80E,RQ
Descriere	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montare pe suprafață DPAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 12 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) ±30V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 500 pF @ 25 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 80W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare 150°C
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3A (Ta)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 4,9Ohm la 1,5A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor DPAK
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 300µA	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63