Canal-N 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK35N65W5,S1F

Numărul produsului DigiKey
TK35N65W5S1F-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TK35N65W5,S1F
Descriere
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Termen de livrare standard al producătorului
16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
TK35N65W5,S1F Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
35A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
95mOhm la 17,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 2,1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
4100 pF @ 300 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
270W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
TK35N65
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 30
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
154,32000 lei54,32 lei
3032,56167 lei976,85 lei
12027,79458 lei3.335,35 lei
51024,51986 lei12.505,13 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:54,32000 lei
Preț unitar cu TVA:65,72720 lei