Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5LVQTR-ND
Price: 32.3433 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK31V60W5,LVQ
Numărul produsului DigiKey	TK31V60W5LVQTR-ND - Bandă și mosor (TR) TK31V60W5LVQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) TK31V60W5LVQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TK31V60W5,LVQ
Descriere	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Montare pe suprafață 4-DFN-EP (8x8)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TK31V60W5,LVQ Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30,8A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	109mOhm la 15,4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 1,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3000 pF @ 300 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	240W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TA)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	4-DFN-EP (8x8)
Pachet/cutie	Plăcuță expusă 4-VSFN
Număr produs de bază	TK31V60