TK13A60D(STA4,Q,M) este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Rochester Electronics, LLC
În stoc: 31.924
Preț unitar : 5,85000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 373
Preț unitar : 18,68000 lei
Fișă de date

Similar


Rohm Semiconductor
În stoc: 325
Preț unitar : 11,70000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 814
Preț unitar : 15,04000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 197
Preț unitar : 16,30000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 14,48000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 218
Preț unitar : 13,48000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.764
Preț unitar : 10,27000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 313
Preț unitar : 19,29000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 378
Preț unitar : 11,40000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 12,18000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 952
Preț unitar : 23,02000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.700
Preț unitar : 8,93000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 767
Preț unitar : 16,00000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 13A (Ta) 50W (Tc) Orificiu străpuns TO-220SIS
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK13A60D(STA4,Q,M)

Numărul produsului DigiKey
TK13A60DSTA4QM-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
TK13A60D(STA4,Q,M)
Descriere
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 13A (Ta) 50W (Tc) Orificiu străpuns TO-220SIS
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
430mOhm la 6,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
50W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.