Name: TK11S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1L,LQTR-ND
Price: 7.018 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK11S10N1L,LQ
Numărul produsului DigiKey	264-TK11S10N1L,LQTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TK11S10N1L,LQCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TK11S10N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TK11S10N1L,LQ
Descriere	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 11A (Ta) 65W (Tc) Montare pe suprafață DPAK+
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TK11S10N1L,LQ Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	28mOhm la 5,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	850 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	65W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DPAK+
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	TK11S10