Canal-N 650 V 29A (Ta) 230W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TK095N65Z5,S1F

Numărul produsului DigiKey
264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Producător
Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului
TK095N65Z5,S1F
Descriere
650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Termen de livrare standard al producătorului
16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 29A (Ta) 230W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSVI
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
29A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
95mOhm la 14,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 1,27mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2880 pF @ 300 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
230W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
TO-247-3
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 195
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
138,32000 lei38,32 lei
3022,30933 lei669,28 lei
12018,79258 lei2.255,11 lei
51016,21553 lei8.269,92 lei
1.02015,50846 lei15.818,63 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:38,32000 lei
Preț unitar cu TVA:46,36720 lei