Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 9.4985 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Numărul produsului DigiKey	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Descriere	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Montare pe suprafață DPAK+
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	104mOhm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	890 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	27W (Tc)
Temperatură de funcționare	175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DPAK+
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	TJ8S06