SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Produse cu semiconductori discreți

SSM6K211FE,LF este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

În stoc: 0

Preț unitar : 0,00000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM6K211FE,LF
Numărul produsului DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Bandă și mosor (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM6K211FE,LF
Descriere	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Montare pe suprafață ES6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SSM6K211FE,LF Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	20 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	3,2A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	1,5V, 4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	47mOhm la 2A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	510 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	500mW (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	ES6
Pachet/cutie	SOT-563, SOT-666
Număr produs de bază	SSM6K211