Name: SSM3J372R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J372RLFTR-ND
Price: 2.0449 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM3J372R,LF
Numărul produsului DigiKey	SSM3J372RLFTR-ND - Bandă și mosor (TR) SSM3J372RLFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SSM3J372RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM3J372R,LF
Descriere	MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 6A (Ta) 1W (Ta) Montare pe suprafață SOT-23F
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SSM3J372R,LF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) +12V, -6V
Serie U-MOSVI	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 560 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 1W (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare 150°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 1,8V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor SOT-23F
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 42mOhm la 5A, 10V	Pachet/cutie SOT-23-3, Derivații plate
Vgs(th) (Max) la Id 1,2V la 1mA	Număr produs de bază SSM3J372

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 458

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)