Name: SSM3J35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35AMFVL3FTR-ND
Price: 1.21 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM3J35AMFV,L3F
Numărul produsului DigiKey	SSM3J35AMFVL3FTR-ND - Bandă și mosor (TR) SSM3J35AMFVL3FCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SSM3J35AMFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM3J35AMFV,L3F
Descriere	MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Montare pe suprafață VESM
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SSM3J35AMFV,L3F Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±10V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 42 pF @ 10 V
Serie U-MOSVII	Caracteristică FET –
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Disipare putere (Max) 150mW (Ta)
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare 150°C
Tip FET Canal P	Grad –
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Calificare –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 20 V	Tip montare Montare pe suprafață
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 250mA (Ta)	Pachet dispozitiv furnizor VESM
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 1,2V, 4,5V	Pachet/cutie SOT-723
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,4Ohm la 150mA, 4,5V	Număr produs de bază SSM3J35
Vgs(th) (Max) la Id 1V la 100µA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 332.879

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)