Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J140TULXHFTR-ND
Price: 4.2713 RON
Availability: OutOfStock

SSM3J140TU,LXHF nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.

Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

În stoc: 2.812

Preț unitar : 3,18000 lei

Fișă de date

Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SSM3J140TU,LXHF
Numărul produsului DigiKey	264-SSM3J140TULXHFTR-ND - Bandă și mosor (TR) 264-SSM3J140TULXHFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 264-SSM3J140TULXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	SSM3J140TU,LXHF
Descriere	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 20 V 4,4A (Ta) 500mW (Ta) Montare pe suprafață UFM
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	20 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4,4A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	1,5V, 4,5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	25,8mOhm la 4A, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	+6V, -8V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1800 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	500mW (Ta)
Temperatură de funcționare	150°C
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	UFM
Pachet/cutie	3-SMD, Derivații plate