Name: RN1102MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1102MFVL3FTR-ND
Price: 1.1495 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RN1102MFV,L3F
Numărul produsului DigiKey	RN1102MFVL3FTR-ND - Bandă și mosor (TR) RN1102MFVL3FCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) RN1102MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	RN1102MFV,L3F
Descriere	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Tranzistor bipolar echipat cu rezistențe (BJT) NPN – Pre-echipat cu rezistențe 50 V 100 mA 150 mW Montare pe suprafață VESM
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	RN1102MFV,L3F Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare Bipolare (BJT) Tranzistoare bipolare pre-polarizate individuale	Rezistență - Bază emițător (R2) 10 kOhms
Producător Toshiba Semiconductor and Storage	Amplificare curent c.c. (hFE) (Min) la Ic, Vce 50 la 10mA, 5V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Saturație Vce (Max) la Ib, Ic 300mV la 500µA, 5mA
Stare piesă Activ	Curent - Decuplare colector (Max) 500nA
Tip tranzistor NPN – Pre-echipat cu rezistențe	Putere - Max 150 mW
Curent - Colector (Ic) (Max) 100 mA	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune - Străpungere emițător colector (Max) 50 V	Pachet/cutie SOT-723
Rezistoare incluse R1 și R2	Pachet dispozitiv furnizor VESM
Rezistență - Bază (R1) 10 kOhms	Număr produs de bază RN1102

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 25.205

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)