DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Protecția circuitelor

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DF10G6M4N,LF
Numărul produsului DigiKey	DF10G6M4NLFTR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Toshiba Semiconductor and Storage
Numărul produsului producătorului	DF10G6M4N,LF
Descriere	TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Referință client
Descriere detaliată	25V Clemă 2A (8/20µs) Diodă TVS Ipp Montare pe suprafață 10-DFN (2,5x1)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	DF10G6M4N,LF Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Protecția circuitelor Supresoare de tensiune tranzitorie (TVS) Diode TVS
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip	Zener
Canale bidirecționale	4
Tensiune - Maximă inversă (tipică)	5,5V (max.)
Tensiune - Străpungere (Min)	5,6V
Tensiune - Fixare (Max) la Ipp	25V
Curent - Impuls maxim (10/1000 µs)	2A (8/20µs)
Putere - Impuls maxim	30W
Protecție linie electrică	Nu
Aplicații	De uz universal
Capacitanță la frecvență	0,2pF la 1MHz
Temperatură de funcționare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	10-UFDFN
Pachet dispozitiv furnizor	10-DFN (2,5x1)
Număr produs de bază	DF10