Canal-N 800 V 7A (Tc) 110W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STW9N80K5

Numărul produsului DigiKey
497-19234-ND
Producător
STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului
STW9N80K5
Descriere
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 7A (Tc) 110W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
STW9N80K5 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ K5
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
7A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
900mOhm la 3,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
340 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
110W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
STW9
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 396
Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului. Se Produse înlocuitoare.
V-ar mai putea interesa și
1 Articole
STW8N90K5

STW8N90K5

MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3

STMicroelectronics

19,22000 lei