
STW26N60M2 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | STW26N60M2-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | STW26N60M2 |
Descriere | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Termen de livrare standard al producătorului | 20 săptămâni |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3 |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | STW26N60M2 Modele |
Categorie | Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 34 nC @ 10 V |
Prod. | Vgs (Max) ±25V |
Serie | Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1360 pF @ 100 V |
Ambalaj Tub | Caracteristică FET – |
Stare piesă Activ | Disipare putere (Max) 169W (Tc) |
Tip FET | Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ) |
Tehnologie | Grad – |
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 600 V | Calificare – |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | Tip montare Orificiu străpuns |
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V | Pachet dispozitiv furnizor TO-247-3 |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 165mOhm la 10A, 10V | Pachet/cutie |
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA | Număr produs de bază |
| Număr de catalog | Producător | CANTITATE DISPONIBILĂ | Numărul produsului DigiKey | Preț unitar | Tip produs înlocuitor |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | 32,38000 lei | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 46,17000 lei | Similar |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | 31,43000 lei | Similar |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 19,16000 lei | 19,16 lei |
| 10 | 12,61100 lei | 126,11 lei |
| 100 | 8,88150 lei | 888,15 lei |
| 600 | 7,14662 lei | 4.287,97 lei |
| 1.200 | 6,65831 lei | 7.989,97 lei |
| 2.400 | 6,24791 lei | 14.994,98 lei |
| 5.400 | 6,13781 lei | 33.144,17 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 19,16000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 23,18360 lei |

