STW21NM60ND este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

APT23F60B
Microchip Technology
În stoc: 0
Preț unitar : 23,91567 lei
Fișă de date

Similar

IRFP27N60K
Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 0,00000 lei

Similar

IXFH28N60P3
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 37,65000 lei
Fișă de date

Similar

IXFH30N60P
IXYS
În stoc: 299
Preț unitar : 49,94000 lei
Fișă de date

Similar

IXFR30N60P
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 32,17810 lei
Fișă de date

Similar

IXFX32N80P
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 41,73340 lei
Fișă de date

Similar

IXFX38N80Q2
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 0,00000 lei
Fișă de date

Similar

IXTH26N60P
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 44,28000 lei
Fișă de date

Similar

IXTH30N60L2
IXYS
În stoc: 5
Preț unitar : 88,64000 lei
Fișă de date

Similar

IXTH30N60P
IXYS
În stoc: 302
Preț unitar : 49,72000 lei
Fișă de date

Similar

SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 136
Preț unitar : 24,40000 lei
Fișă de date

Similar

SPW20N60CFDFKSA1
Rochester Electronics, LLC
În stoc: 360
Preț unitar : 13,12070 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STW21NM60ND

Numărul produsului DigiKey
497-8453-5-ND
Producător
STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului
STW21NM60ND
Descriere
MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 17A (Tc) 140W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
STW21NM60ND Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
STMicroelectronics
Serie
FDmesh™ II
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
17A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
220mOhm la 8,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1800 pF @ 50 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
140W (Tc)
Temperatură de funcționare
150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
STW21
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.