Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 1.5488 USD
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STQ1NK80ZR-AP
Numărul produsului DigiKey	497-6197-1-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-6197-3-ND - Bandă și cutie (TB)
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STQ1NK80ZR-AP
Descriere	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Termen de livrare standard al producătorului	13 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Orificiu străpuns TO-92-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STQ1NK80ZR-AP Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Ambalaj	Bandă tăiată la lungime (CT) Bandă și cutie (TB)
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	300mA (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	16Ohm la 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	160 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-92-3
Pachet/cutie	TO-226-3, Derivații formate TO-92-3 (TO-226AA)
Număr produs de bază	STQ1NK80