STP110N8F7 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


STMicroelectronics
În stoc: 1.043
Preț unitar : 13,47000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 0
Preț unitar : 5,20506 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 0
Preț unitar : 5,08057 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 287
Preț unitar : 26,11000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 18
Preț unitar : 32,74000 lei
Fișă de date
Canal-N 80 V 80A (Tc) 170W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 80 V 80A (Tc) 170W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Motor Control in Electric Vehicles

STP110N8F7

Numărul produsului DigiKey
497-16486-5-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
STP110N8F7
Descriere
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 80 V 80A (Tc) 170W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
STP110N8F7 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
7,5mOhm la 40A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
46.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3435 pF @ 40 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
170W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.