Name: STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH65N050DM9-7AGTR-ND
Price: 49.3801 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STH65N050DM9-7AG
Numărul produsului DigiKey	497-STH65N050DM9-7AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-STH65N050DM9-7AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-STH65N050DM9-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STH65N050DM9-7AG
Descriere	AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 51A (Tc) 266W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	ECOPACK®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	51A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	50 毫欧 @ 25.5A，10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4680 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	266W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	H2PAK-7
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA