Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 32.7789 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STH60N099DM9-2AG
Numărul produsului DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STH60N099DM9-2AG
Descriere	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STH60N099DM9-2AG Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 44 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) ±30V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2140 pF @ 400 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 179W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 600 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 27A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 99mOhm la 13,5A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 250µA	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB