Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14718-2-ND
Price: 29.1126 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STH315N10F7-2
Numărul produsului DigiKey	497-14718-2-ND - Bandă și mosor (TR) 497-14718-1-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-14718-6-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STH315N10F7-2
Descriere	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Termen de livrare standard al producătorului	16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 180 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) ±20V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 12800 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 315W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 180A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor H2PAK-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 2,3mOhm la 60A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 250µA	Număr produs de bază STH315