Name: STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14979-2-ND
Price: 21.4775 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STH150N10F7-2
Numărul produsului DigiKey	497-14979-2-ND - Bandă și mosor (TR) 497-14979-1-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-14979-6-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STH150N10F7-2
Descriere	MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STH150N10F7-2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	110A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3,9mOhm la 55A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	8115 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	250W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	H2PAK-2
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	STH150