Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 30.7945 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STB35N65DM2
Numărul produsului DigiKey	497-18244-2-ND - Bandă și mosor (TR) 497-18244-1-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STB35N65DM2
Descriere	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STB35N65DM2 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 54 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) ±25V
Serie MDmesh™ M2	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2400 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 210W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 28A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor D2PAK
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 110mOhm la 14A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 250µA	Număr produs de bază STB35