Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB30N65M2AGTR-ND
Price: 27.1645 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STB30N65M2AG
Numărul produsului DigiKey	497-STB30N65M2AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-STB30N65M2AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STB30N65M2AG
Descriere	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 20A (Tc) 190W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STB30N65M2AG Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Ultima ocazie de cumpărare
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	20A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	180mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	30.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1440 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	190W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	STB30