Name: STB13N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13828-2-ND
Price: 16.0567 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

STB13N60M2
Numărul produsului DigiKey	497-13828-2-ND - Bandă și mosor (TR) 497-13828-1-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-13828-6-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	STB13N60M2
Descriere	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	STB13N60M2 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 17 nC @ 10 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) ±25V
Serie MDmesh™ II Plus	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 580 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 110W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 600 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 11A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 380mOhm la 5,5A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază STB13