
SCTWA60N120G2-4 | |
|---|---|
Numărul produsului DigiKey | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
Producător | |
Numărul produsului producătorului | SCTWA60N120G2-4 |
Descriere | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Referință client | |
Descriere detaliată | Canal-N 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-4 |
Fișă de date | Fișă de date |
Modele EDA/CAD | SCTWA60N120G2-4 Modele |
Tip | Descriere | Selectare globală |
|---|---|---|
Categorie | ||
Prod. | ||
Serie | - | |
Ambalaj | Tub | |
Stare piesă | Ultima ocazie de cumpărare | |
Tip FET | ||
Tehnologie | ||
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) | 1200 V | |
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C | ||
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) | 18V | |
Rds pornit (Max) la Id, Vgs | 52mOhm la 30A, 18V | |
Vgs(th) (Max) la Id | 5V la 1mA | |
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs | 94 nC @ 18 V | |
Vgs (Max) | +22V, -10V | |
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds | 1969 pF @ 800 V | |
Caracteristică FET | – | |
Disipare putere (Max) | 388W (Tc) | |
Temperatură de funcționare | -55°C – 200°C (TJ) | |
Grad | – | |
Calificare | – | |
Tip montare | Orificiu străpuns | |
Pachet dispozitiv furnizor | TO-247-4 | |
Pachet/cutie |
| Cantitate | Preț unitar | Ext Price |
|---|---|---|
| 1 | 77,04000 lei | 77,04 lei |
| 10 | 61,24900 lei | 612,49 lei |
| 30 | 56,63200 lei | 1.698,96 lei |
| 120 | 52,50892 lei | 6.301,07 lei |
| 270 | 50,74493 lei | 13.701,13 lei |
| 510 | 49,61680 lei | 25.304,57 lei |
| Preț unitar fără TVA: | 77,04000 lei |
|---|---|
| Preț unitar cu TVA: | 93,21840 lei |

