SCT20N120H este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

SCT3160KLGC11
Rohm Semiconductor
În stoc: 0
Preț unitar : 38,90000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-2
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT20N120H

Numărul produsului DigiKey
497-SCT20N120HTR-ND - Bandă și mosor (TR)
497-SCT20N120HCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Producător
STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului
SCT20N120H
Descriere
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-2
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
SCT20N120H Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
STMicroelectronics
Serie
-
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
20A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
290mOhm la 10A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
650 pF @ 400 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
175W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 200°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-2
Pachet/cutie
TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază
SCT20
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.