Name: SCT060HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT060HU75G3AGTR-ND
Price: 67.2155 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT060HU75G3AG
Numărul produsului DigiKey	497-SCT060HU75G3AGTR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCT060HU75G3AGCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCT060HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT060HU75G3AG
Descriere	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 750 V 30A (Tc) 185W (Tc) Montare pe suprafață HU3PAK
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SCT060HU75G3AG Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	STMicroelectronics
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	750 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	78mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id	4,2V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	29 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	680 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	185W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	HU3PAK
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA