Name: SCT018H65G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT018H65G3-7TR-ND
Price: 82.6672 RON
Availability: InStock

Nou la DigiKey

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SCT018H65G3-7
Numărul produsului DigiKey	497-SCT018H65G3-7TR-ND - Bandă și mosor (TR) 497-SCT018H65G3-7CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 497-SCT018H65G3-7DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	STMicroelectronics
Numărul produsului producătorului	SCT018H65G3-7
Descriere	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Montare pe suprafață H2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 79.4 nC @ 18 V
Prod. STMicroelectronics	Vgs (Max) +18V, -5V
Serie ECOPACK®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2124 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 385W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 55A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 15V, 18V	Pachet dispozitiv furnizor H2PAK-7
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 27mOhm la 30A, 18V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 4,2V la 5mA